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ESD放电造成微电子电路损伤的模式

2018-04-12 22:23:55   责任编辑:斯泰科微    0

ESD放电造成微电子电路损伤的模式金属布线与扩散区(或多晶)接触孔产生火花,使金属和硅的欧姆接触被破坏。


使节点的温度超过半导体硅的熔点(1415℃)时,使硅熔解,产生再结晶,造成器件短路。金属化电极和布线熔解、球化,造成电路开路。大电流流过PN结产生焦耳热,使结温升高,形成热斑或热奔,导致器件损坏静电放电引发的瞬时大电流(静电火花)引燃引爆易燃、易爆气体混合物或电火工品,造成意外燃烧、爆炸事故。


静电放电使人体遭受电击引发操作失误造成二次事故、静电场的库仑力作用使纺织、印刷、塑料包装等自动化生产线受阻。第三类静电危害是由于静电放电的电磁辐射或静电放电电磁脉冲(ESDEMP)对电子设备造成的电磁干扰引发的各种事故。


 一般说来,静电放电都是在微秒或钠秒量级完成的,因此这一过程是一种绝热过程,放电瞬间通过回路的大电流,形成局部的高温热源。对微电子器件而言,其静电放电能量通过器件集中释放,其平均功率可达几千瓦,热量很难从功率耗散面向外扩散,因而在器件内形成大的温度梯度,造成局部热损伤,电路性能变坏或失效。